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APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

APTC90HM60T3G

制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
057605 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Jun 30 - Jul 04 2025
PDF格式
APTC90HM60T3G PDF
类型 描述
系列:CoolMOS™
包裹:Tray
零件状态:Obsolete
场效应管类型:4 N-Channel (H-Bridge)
场效应管特征:Super Junction
漏源电压 (vdss):900V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:59A
rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 6mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:540nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:13600pF @ 100V
功率 - 最大值:462W
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:SP3
供应商设备包:SP3
APTC90HM60T3G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 APTC90HM60T3G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为APTC90HM60T3G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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