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NTMD6601NR2G

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零件编号 :: NTMD6601NR2G

制造商: Rochester Electronics

描述: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 61711 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 10 - Nov 14 2025

PDF格式: NTMD6601NR2G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	80V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	1.1A
rds on (max) @ id, vgs:	215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	400pF @ 25V
功率 - 最大值:	600mW
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOIC

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