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QS8J12TCR

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MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

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QS8J12TCR

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零件编号 :

QS8J12TCR

制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
049004 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Jun 17 - Jun 21 2024
PDF格式
QS8J12TCR PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏源电压 (vdss):12V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4.5A
rds on (max) @ id, vgs:29mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:40nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4200pF @ 6V
功率 - 最大值:550mW
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-SMD, Flat Lead
供应商设备包:TSMT8
QS8J12TCR 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 QS8J12TCR 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为QS8J12TCR 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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