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DF11MR12W1M1PB11BPSA1

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零件编号 :: DF11MR12W1M1PB11BPSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET MODULE 1200V

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 098909 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 07 - Nov 11 2025

类型	描述
系列:	EasyPACK™
包裹:	Tray
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (vdss):	1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	50A (Tj)
rds on (max) @ id, vgs:	22.5mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:	5.55V @ 20mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	124nC @ 15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3680pF @ 800V
功率 - 最大值:	20mW
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	Module
供应商设备包:	AG-EASY1B-2

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