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HD64180F10F

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8-BIT MICROPROCESSOR

BUV21G

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

BUV21G

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
TRANS NPN 200V 40A TO-3
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
可用性
19300 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
May 20 - May 24 2024
PDF格式
BUV21G PDF
类型 描述
系列:SWITCHMODE™
包裹:Tray
零件状态:Active
晶体管型:NPN
电流 - 集电极 (ic) (max):40 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):200 V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:1.5V @ 3A, 25A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:20 @ 12A, 2V
功率 - 最大值:250 W
频率转换:8MHz
工作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-204AE
供应商设备包:TO-3
BUV21G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 BUV21G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为BUV21G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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