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零件编号 :

RN2510(TE85L,F)

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置
可用性
13000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 02 - Nov 06 2025
PDF格式
RN2510(TE85L,F) PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
晶体管型:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
电流 - 集电极 (ic) (max):100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:50V
电阻器 - 基极 (r1):4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):-
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:100nA (ICBO)
频率转换:200MHz
功率 - 最大值:300mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:SC-74A, SOT-753
供应商设备包:SMV
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