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NXPSC126506Q

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零件编号 :: NXPSC126506Q

制造商: WeEn Semiconductors Co., Ltd

描述: SILICON CARBIDE POWER DIODE

目录: 二极管 - 整流器 - 单

可用性: 13000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 01 - Nov 05 2025

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
二极管型:	Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向 (vr) (max):	650 V
电流 - 平均整流 (io):	12A
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:	1.7 V @ 12 A
速度:	No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr):	0 ns
电流 - 反向泄漏@ vr:	80 µA @ 650 V
电容@vr, f:	380pF @ 1V, 1MHz
安装类型:	Through Hole
包/箱:	TO-220-2
供应商设备包:	TO-220AC
工作温度 - 结:	175°C (Max)

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